Sistema di rivestimento dotato di Load-Lock
Sistema di rivestimento dotato di Load-Lock ToronTS-450 con camere Load-Lock offre un'elaborazione più rapida e una qualità di rivestimento superiore. Il carico e lo scarico del campione avvengono nella camera Load-Lock, con un braccio di trasferimento magnetico che sposta il campione nella camera principale.
Questo miglioramento è disponibile per i sistemi Thermal, Sputtering, E-Beam e HiPIMS all'interno della nostra gamma di prodotti. La configurazione ToronVak Load-Lock consente il rivestimento in un ambiente ad alto vuoto di 10⁻⁷ Torr, consentendo al contempo il caricamento di un nuovo wafer ogni 15 minuti.
Fabbricazione di semiconduttori e wafer - Deposizione di film sottili ad alta produttività su wafer con rischio di contaminazione ridotto al minimo, consentendo la lavorazione continua e la frequente sostituzione dei campioni.
Microelettronica e optoelettronica - Rivestimento di precisione di conduttori e isolanti per sensori, dispositivi MEMS, fotorivelatori e componenti optoelettronici in condizioni di vuoto stabile.
Energia e fotovoltaico - Rivestimento avanzato di celle solari e dispositivi di accumulo di energia con film sottili multistrato ad alta efficienza mediante sputtering reattivo e sorgenti termiche.
Ingegneria aerospaziale e automobilistica - Applicazione di rivestimenti metallici e dielettrici durevoli su componenti critici per migliorare le prestazioni, la resistenza all'usura e la stabilità termica.
Rivestimenti per display e ottiche - Deposizione di strati trasparenti, antiriflesso e conduttivi su vetro, ottiche e substrati per display con uniformità controllata da una formula specifica.
Ingegneria delle superfici e servizi di rivestimento industriale - Piattaforma affidabile per servizi di rivestimento a contratto, che consente un'elaborazione efficiente di più campioni con tempi di inattività ridotti.
Ricerca e sviluppo - Un sistema flessibile per università, laboratori e team di ricerca e sviluppo aziendali, utile per studiare nuovi materiali a film sottile, tecniche di rivestimento e architetture multistrato.
- Progettazione della camera: Camera a vuoto prismatica/cilindrica realizzata in SS304 con superficie interna elettrolucidata, ultrasottile e superfici raffreddate ad acqua opzionali.
- Configurazione della porta: Porte standard da 1", QF, CF e ISO per facili aggiornamenti a sorgenti termiche o sputtering aggiuntive.
- Osservazione e controllo: Finestra di osservazione con filtro UV, otturatore girevole e otturatore del campione programmato in LabVIEW per un controllo preciso dello spessore.
- Sistema di vuoto: Pompe turbomolecolari, meccaniche e a secco con funzionamento ad alta velocità, ottenendo 10⁻⁸ Torri pressione di base nella camera principale.
- Prestazioni di carico-blocco: Le pompe dedicate raggiungono 10⁻⁶ Torri in 10 minuti, adattabile a sorgenti sputtering, e-beam e termiche.
- Valvole e isolamento: Le valvole a farfalla, di sfiato, di isolamento e le valvole a saracinesca garantiscono che la camera rimanga sotto vuoto quando il motore è inattivo.
- Controllo automatizzato: Deposizione completamente automatica tramite software o controllo del pannello con display LCD in tempo reale.
- Sistema di raffreddamento: Raffreddamento automatico ad acqua a circuito chiuso con protezione di interblocco per impedire l'attivazione dell'alimentazione in assenza di adeguate condizioni di vuoto.
- Capacità di sputtering: Pistole per sputtering da 1" a 6" (azionate da RF e CC) con testine flessibili, rotazione auto-assiale e tenuta a compressione.
- Rivestimento materiale: Riveste conduttori (Au, Al, Ti, Ni) e isolanti (MgO, TiO₂, SiO₂, TiN) ad alte velocità con controllo basato sulla ricetta.
- Precisione del vuoto: Controllo del vuoto regolabile da 1000 - 10⁻⁹ Torr utilizzando la regolamentazione a valle/a monte.
- Riscaldamento e rotazione del campione: Riscaldamento controllato da PID da 50 - 600 ° C (sensibilità ±1°C) e 2 - 30 rpm rotazione regolabile, con pulizia al plasma (DC/RF).
- Meccanismo di caricamento: Braccio di trasferimento magnetico per una facile movimentazione di 2", 3", 4" e 6" campioni.
- Misura dello spessore: Doppio canale, 0.1 Å/s Misurazione precisa dello spessore con due QCM.
- Sorgenti termali: 8V - 500A, 4000W sorgenti termiche per evaporazione sequenziale e co-evaporazione, con una progettazione che riduce al minimo la contaminazione incrociata e consente una facile sostituzione della sorgente.
- Cellule di effusione: Temperatura di funzionamento: da 50 a 800±1°C celle per l'evaporazione organica.
- Miscelazione e polverizzazione del gas: Ingressi gas controllati da MFC digitale (Ar, N₂, O₂, He, CH₄, ecc.) con Sensibilità 0.1 sccm per sputtering reattivo.
- Efficienza: Ciclo di esperimento di 1.5 ore, abilitando 10-15 esperimenti al giorno.
- Garanzia: 2 anni copertura per materiali, design e lavorazione artigianale.
