Forno di sollevamento ad alta temperatura TT-LF-321-1800C

Prodotto principale

Il forno di sollevamento ad alta temperatura TT-LF-321-1800C, con una temperatura massima di 1800 °C, è specificamente progettato per l'uso in università, istituti di ricerca, stabilimenti di produzione e laboratori industriali. Progettato per garantire affidabilità e precisione, supporta processi termici avanzati in un'ampia gamma di applicazioni.

Questo forno è ideale per la lavorazione di materiali avanzati come metalli, ceramiche, nanomateriali e semiconduttori. Inoltre, è particolarmente indicato per i laboratori odontotecnici, garantendo prestazioni di sinterizzazione precise e costanti per le protesi dentarie nel settore delle protesi dentarie.

  • Materiali ceramici avanzati : consentono la sinterizzazione e la densificazione ad alta temperatura di ceramiche elettroniche, strutturali e funzionali. Offrono un'eccellente stabilità termica e resistenza meccanica, risultando adatti sia per applicazioni di ricerca e sviluppo che industriali.

  • Materiali magnetici ed elettronici – Facilita la sinterizzazione precisa di materiali magnetici, target ITO e ceramiche elettroniche. Garantisce una distribuzione uniforme della temperatura, fondamentale per prestazioni magnetiche ed elettroniche stabili.

  • Ricerca sui nanomateriali – Offre trattamenti termici precisi e uniformi per nanostrutture e materiali compositi. Supporta attività di ricerca e sviluppo avanzate nei settori dell'elettronica, della catalisi, dei rivestimenti e dell'accumulo di energia.

  • Processi di lavorazione dei semiconduttori : ideale per processi di ricottura, diffusione e ossidazione ad altissime temperature. Garantisce un controllo preciso per la fabbricazione di dispositivi microelettronici, wafer di semiconduttori e dispositivi optoelettronici.

  • Metallurgia delle polveri e leghe avanzate : garantisce una sinterizzazione affidabile di metalli in polvere e sistemi di leghe avanzate per la produzione di componenti densi e ad alte prestazioni. Supporta la produzione di geometrie complesse in ambito di produzione su scala di laboratorio.

  • Protesi dentali – Ideale per laboratori odontotecnici che richiedono una sinterizzazione precisa e uniforme di denti protesici e ceramiche dentali avanzate. Garantisce risultati ripetibili con un'integrità strutturale superiore.

  • Università e istituti di ricerca : ampiamente utilizzati nei programmi di ricerca accademica in fisica, chimica e scienza dei materiali. Offrono versatilità, sicurezza e flessibilità di programmazione per la didattica e il lavoro sperimentale.

  • Ricerca e sviluppo industriale e Quality Control – Supporta test, certificazione e convalida di materiali ad alte prestazioni in condizioni termiche estreme. Fornisce risultati affidabili per i settori che richiedono la conformità agli standard ISO, CE e SGS.

Rivestimento della fornace

  • Realizzato in acciaio a basso tenore di carbonio Q235, con superficie resistente alle scariche elettrostatiche e alla corrosione.
  • Il design resistente del serbatoio in metallo garantisce basse temperature della superficie esterna durante il funzionamento.
  • La porta del forno è dotata di una struttura sigillata tramite flangia con compressione manuale delle viti e un design con apertura laterale per un accesso e un funzionamento più facili.

Materiale refrattario

  • Sistema di isolamento multistrato realizzato in fibra ceramica di allumina leggera e pannelli isolanti di alta qualità. L'isolamento è privo di amianto, con eccellente efficienza termica, minima dispersione di calore e ridotto consumo energetico.

Sistema di Riscaldamento

  • Dotato di elementi riscaldanti a resistenza di alta qualità che garantiscono un riscaldamento efficiente e radiante all'interno della camera, garantendo un'affidabilità a lungo termine.
  • Gli elementi riscaldanti ad anello circostanti garantiscono una distribuzione uniforme della temperatura in tutto il forno.
  • Le caratteristiche opzionali includono una porta di scarico montata nella parte superiore e una presa d'aria inferiore con flusso regolabile.
  • La piattaforma inferiore supporta contenitori di carica impilabili, consentendo il caricamento multistrato a seconda della configurazione del forno.

Pannello di controllo della temperatura

  • Regolatore PID con uscita SSR/SCR per una regolazione della temperatura estremamente precisa.
  • Utilizza una termocoppia ad alta resistenza e standardizzata a livello internazionale per letture coerenti.

Controller di programma

  • Controller avanzato progettato per gestire processi di riscaldamento complessi.
  • Interfaccia intuitiva e di facile utilizzo con programmazione flessibile e intuitiva.
  • Supporta fino a 30 segmenti programmabili per curva.
  • Include allarmi di sovratemperatura e di guasto del sistema con spegnimento automatico di sicurezza.

Forno di sollevamento ad alta temperatura TT-LF-321-1800C
Forno di sollevamento ad alta temperatura TT-LF-321-1800C
Forno di sollevamento ad alta temperatura TT-LF-321-1800C

Modello del prodotto

Dimensioni della camera (mm)

Volume

Temperatura massima

Temperatura di Esercizio

Tensione

Potenza

Elemento riscaldante

Precisione del controllo della temperatura

TT-LF-120-1200Φ120 × 1202L1200 ℃1100 ℃220V (disponibile anche 110V)2KWHRE± 1 ℃
TT-LF-150-1200Φ150 × 1503L1200 ℃1100 ℃220V (disponibile anche 110V)3KWHRE± 1 ℃
TT-LF-200-1200Φ200 × 2006L1200 ℃1100 ℃220V (disponibile anche 110V)4KWHRE± 1 ℃
TT-LF-300-1200Φ300 × 30020L1200 ℃1100 ℃380V6KWHRE± 1 ℃
TT-LF-120-1400Φ120 × 1202L1400 ℃1350 ℃220V (disponibile anche 110V)3KWSIC± 1 ℃
TT-LF-150-1400Φ150 × 1503L1400 ℃1350 ℃220V (disponibile anche 110V)4KWSIC± 1 ℃
TT-LF-200-1400Φ200 × 2006L1400 ℃1350 ℃220V (disponibile anche 110V)5KWSIC± 1 ℃
TT-LF-300-1400Φ300 × 30020L1400 ℃1350 ℃380V6KWSIC± 1 ℃
TT-LF-120-1700Φ120 × 1202L1700 ℃1600 ℃220V (disponibile anche 110V)3KWMoSi2± 1 ℃
TT-LF-150-1700Φ150 × 1503L1700 ℃1600 ℃220V (disponibile anche 110V)4KWMoSi2± 1 ℃
TT-LF-200-1700Φ200 × 2006L1700 ℃1600 ℃220V (disponibile anche 110V)4KWMoSi2± 1 ℃
TT-LF-300-1700Φ300 × 30020L1700 ℃1600 ℃380V8KWMoSi2± 1 ℃

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