PECVD Tüp Fırını
PECVD Tüp Fırını - ToronTF™ PECVD
Plazma Destekli Kimyasal Buhar Biriktirme (PECVD) Tüp Fırın Sistemi
ToronTF™ PECVD, 1100 °C'lik bir kuvars tüp fırını ile 300 W, 13.56 MHz indüktif olarak eşleştirilmiş plazma kaynağını birleştiren bir PECVD tüp fırınıdır. ICP plazması, kuvars numune bölgesinde öncü gazları aktive ederek, termal CVD'ye göre daha düşük sıcaklıklarda kaplama yapılmasını ve film kalitesinin iyileştirilmesini sağlar. 50, 80 veya 100 mm çapında ve 1000 mm uzunluğundaki kuvars tüpler, farklı numune boyutlarına uyum sağlar. ±1 °C'lik PID kontrolü, 1100 °C'lik tüm çalışma aralığı boyunca kararlı kaplama koşullarını korur.
Üç kanallı MFC gaz kontrolü, saf veya karışık kombinasyonlarda Ar, N₂, O₂, H₂, CH₄ ve NH₃'ü yönetir; isteğe bağlı olarak ek kanallar da mevcuttur. Kısma, havalandırma ve izolasyon vanaları, otomatik PLC vakum kontrolü altında 1 ila 100 mTorr arasında çalışma basıncını korur. Ayarlanabilir adımlara sahip kullanıcı tanımlı programlanabilir ısıtma profilleri, her çalıştırma için termal rampa ve bekleme sırasını kontrol eder. PC dokunmatik ekran ve panel kontrolü esnek çalışma imkanı sunar; kapalı çevrim su soğutması, biriktirme sırasında sistem bileşenlerini korur.
Kuvars numune tutucu, plazmayı numune biriktirme bölgesine hapsederek plazmanın hazne duvarlarıyla temasını önler ve kirlenmeyi azaltır. Kolay numune yükleme kapağı, biriktirme işlemleri arasında numune yükleme ve boşaltma için kolay erişim sağlar. Kilitlenebilir tekerlekler üzerindeki 75×120 cm'lik taban alanı standart kapılardan geçer ve 220V, 16A güç gereksinimi tesis kurulumunu basitleştirir. 50, 80 ve 100 mm'lik kuvars tüp çapı seçenekleri, farklı numune boyutlarına ve işlem gazı hacimlerine uyum sağlar.
PECVD Tüp Fırını - ToronTF™ PECVD Uygulamaları
ToronTF™ PECVD, plazma aktivasyonu ve tüp fırın ısıtmasının birleşimiyle termal CVD veya tek başına plazma ile elde edilemeyen süreçleri mümkün kılan, çok çeşitli film malzemelerinde plazma destekli kimyasal buhar biriktirme gerektiren araştırma ve akademik laboratuvarlara hizmet vermektedir. Kompakt tüp formatı ve esnek gaz konfigürasyonu, malzeme bilimi, yarı iletken ve enerji araştırma programlarına uygundur.
- Elmas ve DLC Film KaplamasıPlazma ile aktive edilmiş hidrokarbon gazı ayrışması, termal CVD için gereken sıcaklıkların altındaki alt tabaka sıcaklıklarında elmas benzeri karbon ve nanokristalin elmas film araştırmaları için kullanılmaktadır.
- Silikon Nitrür İnce Film Araştırması: Yarıiletken ve fotovoltaik cihaz araştırmalarında Si₃N₄ pasivasyon katmanları, geçit dielektrikleri ve kapsülleme filmleri için NH₃ ve N₂ öncü plazma ayrıştırması
- Silikon Oksit Film KaplamasıO₂ plazma ile güçlendirilmiş oksidasyon ve birlikte biriktirme işlemleri ile kontrollü biriktirme sıcaklıklarında SiO₂ kapı dielektriği, yalıtkan ve pasivasyon filmi araştırmaları
- Karbon Nanotüp ve Grafen Üretimi: Kontrollü sıcaklık ve gaz ortamlarında katalizör alt tabakalar üzerinde plazma ile aktive edilmiş hidrokarbon ayrışması yoluyla karbon nanotüp büyümesi ve grafen sentezi
- Amorf Silikon ve İnce Film Güneş Hücresi Araştırmasıİnce film fotovoltaik cihaz katmanı araştırması ve prototiplemesi için amorf silikon ve silikon nitrür filmlerinin PECVD yöntemiyle biriktirilmesi
- Yüzey Nitrürleme ve Plazma İşlemiMetal ve yarı iletken yüzeylerin N₂ veya NH₃ plazması kullanılarak plazma nitrürlenmesi ile tam film kaplaması yapılmadan yüzey özelliklerinin değiştirilmesi
- Akademik Malzeme Bilimi AraştırmasıOksit, nitrür, karbür ve karbon bazlı malzeme sistemlerinde ince film biriktirme için esnek plazma CVD platformu.
PECVD Tüp Fırını - ToronTF™ PECVD Temel Özellikleri
ToronTF™ PECVD, araştırma ve akademik laboratuvarlar için kompakt, mobil bir plazma CVD platformunda yüksek sıcaklıklı tüp fırını, indüktif olarak bağlanmış plazma kaynağı, üç kanallı MFC gaz sistemi ve PLC vakum otomasyonunu bir araya getiriyor.
- 1100 °C Maksimum Fırın SıcaklığıYüksek sıcaklıkta PECVD işlemleri için 1100 °C'ye kadar kesintisiz çalışma imkanı; oksit, nitrür, karbon ve refrakter malzeme biriktirme işlemlerini kapsar.
- ±1 °C PID Fırın Sıcaklık KontrolüHassas kapalı devre sıcaklık yönetimi, istikrarlı biriktirme koşullarını korur ve doğru termal reçete tekrarını mümkün kılar.
- 300 W, 13.56 MHz İndüktif Olarak Eşleştirilmiş Plazma KaynağıHarici bobinli ICP tasarımı, elektrot malzemelerinin biriktirme bölgesine girmesini önleyerek yüksek yoğunluklu plazma üretir.
- Plazma ile Numune Bölgesini Sınırlayan Kuvars Numune TutucuPlazma, geometrik olarak numune bölgesine hapsedilir, reaktif türleri alt tabaka yüzeyinde yoğunlaştırırken odanın geri kalanını korur.
- Kuvars Tüp (1000 mm Uzunluk, 50/80/100 mm Çap)Değiştirilebilir kuvars tüp çapı seçenekleri, farklı numune boyutlarına ve proses gaz hacimlerine uyum sağlar; özel çaplar talep üzerine temin edilebilir.
- 3 Kanallı MFC Gaz Kontrolü (Ar, N₂, O₂, H₂, CH₄, NH₃)Altı farklı öncü gaz türü için kütle akış kontrol sistemi; bireysel ve karışık akışların gerçek zamanlı dijital gösterimi ile birlikte.
- Genişletilebilir Gaz Hattı YapılandırmasıStandart üç kanallı konfigürasyona ek olarak ilave gaz kanalları eklenerek daha geniş bir öncü kimyasal yelpazesi desteklenebilir.
- Gerçek Zamanlı Dijital Gaz Akışı GöstergesiSüreç izleme ve dokümantasyon için bireysel ve karışık gaz akış hızlarının sürekli olarak ekranda görüntülenmesi.
- Kullanıcı Tanımlı Programlanabilir Isıtma ProfilleriFarklı film malzemeleri ve kaplama sonrası tavlama işlemleri için ayarlanabilir ısıtma hızları ve bekleme sürelerine sahip çok adımlı ısıtma dizileri.
- Otomatik PLC Vakum Kontrol ÜnitesiDeney kurulumu ve kapatılması sırasında otomatik vakum sıralaması için tek tuşla başlatma, durdurma ve havalandırma işlemi.
- 1 ila 100 mTorr Hassasiyetinde Kısma, Havalandırma ve İzolasyon VanalarıPECVD işlemleri sırasında kararlı plazma koşulları için hassas çalışma basıncı kontrolü
- PC Dokunmatik Ekran Kontrol Seçeneği: Uzaktan çalıştırma, reçete yönetimi ve gerçek zamanlı süreç izleme için bilgisayar arayüzü ve panel kontrolü.
- Kolay Erişimli Numune Yükleme Kapısı: Kapsamlı hazne sökme işlemine gerek kalmadan, numunelerin kolayca yüklenmesi ve boşaltılması, böylece çalışma aralarında verimli numune değişimi sağlanması.
- Kapalı Devre Su Soğutma SistemiPlazma kaynağının ve sistem bileşenlerinin, kaplama işlemi boyunca aktif su soğutması.
- 220V, 16A Tek Fazlı Güç GereksinimiStandart tek fazlı elektrik bağlantısı laboratuvar kurulumunu kolaylaştırır.
- 75×120 cm Kilitlenebilir Tekerlekli Mobil PlatformKompakt tasarımı sayesinde laboratuvar içinde kurulum ve yeniden konumlandırma için standart kapılardan geçebilir.
- Tasarım, malzeme ve işçilik için bir yıl garanti.Sistem bileşenleri, tasarım kalitesi ve üretim için yıllık kapsam
Teori ve Yöntem
Plazma destekli CVD, öncü gazları düşük basınçlı bir plazma ile aktive ederek, termal CVD'ye göre daha düşük alt tabaka sıcaklıklarında film biriktirmeyi mümkün kılar. Plazma enerjisi, reaktif gazları serbest radikallere ve iyonlara ayrıştırarak, alt tabaka yüzeyiyle temas ettiklerinde ince filmler oluşturur. Plazma enerjisi, termal aktivasyonun yerini alarak, biriktirme sıcaklık aralığını ve erişilebilir film bileşimlerini genişletir. Plazmanın kuvars numune tutucuya hapsedilmesi, reaktif türleri alt tabakada yoğunlaştırırken, plazmanın sistemin geri kalanına maruz kalmasını sınırlar.
İndüktif olarak eşleştirilmiş plazma (ICP), 13.56 MHz'de 300 W RF enerjisini kuvars tüpün dışındaki bir bobin aracılığıyla birleştirerek, elektrot malzemelerinin biriktirme bölgesine girmesini önleyen yüksek yoğunluklu plazma üretir. ICP, oksit, nitrür ve karbon bazlı film biriktirme için O₂, N₂, H₂, CH₄ ve NH₃'ü ayrıştıracak kadar yoğun plazma üretir. 1100 °C'ye kadar fırın sıcaklığı, hem termal hem de plazma enerjisi gerektiren film bileşimlerine erişmek için plazma aktivasyonu ile birleşir. Ayarlanabilir adımlara sahip kullanıcı tanımlı ısıtma profilleri, her çalıştırma için termal rampayı ve bekleme süresini kontrol eder.
Üç kanallı MFC gaz kontrolü, saf veya karışık kombinasyonlarda Ar, N₂, O₂, H₂, CH₄ ve NH₃ gazlarını yönetir; isteğe bağlı olarak ek kanallar da mevcuttur. Kısma, havalandırma ve izolasyon vanaları, otomatik PLC vakum kontrolü altında proses basıncını 1 ila 100 mTorr arasında tutar. PC dokunmatik ekran işletimi, gaz, vakum ve ısıtma dizisinin uzaktan denetimini sağlar. Kapalı çevrimli su soğutma, biriktirme işlemi boyunca plazma kaynağını ve hazneyi korur.
PECVD Tüp Fırını - ToronTF™ PECVD Teknik Özellikleri
| Parametre | Özellikler |
|---|---|
| Fırın Sıcaklığı | 1100 °C'ye kadar (sürekli) |
| Sıcaklık Kontrolü | PID, ±1 °C |
| Kuvars Tüp Uzunluğu | 1000 mm |
| Kuvars Tüp İç Çapı | 50, 80 veya 100 mm (özel çaplar mevcuttur) |
| Plazma Kaynağı Tipi | İndüktif olarak eşleştirilmiş plazma (ICP) |
| Plazma Kaynağı Gücü | 300 W |
| Plazma Kaynağı Frekansı | 13.56 MHz |
| Gaz Kontrolü | 3 kanallı MFC (Ar, N₂, O₂, H₂, CH₄, NH₃); genişletilebilir |
| Gaz Göstergesi | Gerçek zamanlı dijital; bireysel ve karma akış hızları |
| Çalışma Basıncı Aralığı | 1 ila 100 mTorr |
| Valf Yapılandırması | Kısma, havalandırma ve izolasyon vanaları |
| Vakum Kontrolü | Başlatma, durdurma ve havalandırma fonksiyonlarına sahip otomatik PLC ünitesi. |
| Isıtma Profili Kontrolü | Kullanıcı tanımlı, ayarlanabilir adımlara sahip programlanabilir profiller. |
| Örnek tutucu | Kuvars (plazma numune bölgesine hapsolmuş) |
| kontrol Arayüzü | PC dokunmatik ekranı (isteğe bağlı) ve panel kontrolü |
| Soğutma Sistemi | Kapalı çevrimli su soğutma |
| güç Gereksinimi | 220V, 16A (110V da mevcuttur) |
| ayak izi | 75 × 120 cm |
| Kapı Boşluğu | Standart kapılardan geçer. |
| Hareketlilik | Kilitlenebilir tekerlekler |
| Garanti | 1 yıl (tasarım, malzeme ve işçilik) |