Forno tubular de 2 zonas 1700°C – TT-TF2Z-60-1700

Forno tubular de 2 zonas 1700 °C – TT-TF2Z-60-1700 é um forno tubular de duas zonas de alto desempenho projetado para sinterização e tratamento térmico de alta temperatura de metais, cerâmicas, nanomateriais, semicondutores, metalurgia do pó e outros materiais avançados. É amplamente utilizado em universidades, instituições de pesquisa, instalações industriais, bem como nos setores petroquímico e aeroespacial.

Forno tubular de 2 zonas 1700°C – TT-TF2Z-60-1700

Forno tubular de 2 zonas 1700°C – TT-TF2Z-60-1700

Forno tubular de 2 zonas 1700°C – TT-TF2Z-60-1700

  • Cerâmicas Avançadas e Materiais de Alta Temperatura – Oferece sinterização e recozimento precisos em zona dupla para cerâmicas técnicas, componentes refratários e materiais estruturais. Garante alta estabilidade térmica, resistência mecânica aprimorada e densificação uniforme.

  • Pesquisa em Nanomateriais e Compósitos – Permite o tratamento térmico controlado de nanopartículas, filmes finos e compósitos funcionais. O controle independente de zona dupla garante reprodutibilidade e aquecimento uniforme para o desenvolvimento de materiais avançados em eletrônica, armazenamento de energia e catálise.

  • Fabricação de semicondutores e eletrônicos – Facilita processos de difusão, oxidação e recozimento em altas temperaturas para wafers e substratos semicondutores. Oferece perfis térmicos estáveis ​​e reproduzíveis, essenciais para dispositivos microeletrônicos e optoeletrônicos.

  • Metalurgia do Pó e Processamento de Ligas – Suporta a sinterização, densificação e transformações de fase de pós metálicos e ligas avançadas. A configuração de zona dupla garante distribuição uniforme de temperatura para propriedades consistentes do material.

  • Aplicações químicas e petroquímicas – Adequado para ativação de catalisadores, decomposição térmica e reações químicas em atmosfera controlada. Proporciona precisão e reprodutibilidade para processos laboratoriais e industriais.

  • Engenharia de Materiais Aeroespaciais e de Alto Desempenho – Permite o processamento em altas temperaturas de ligas aeroespaciais, compósitos e revestimentos protetores. Aumenta a resistência à oxidação, a vida útil à fadiga e a confiabilidade do material em condições extremas de serviço.

  • Pesquisa em Materiais para Energia e Baterias – Oferece suporte à sinterização de eletrólitos de estado sólido, eletrodos e outros materiais avançados para baterias. O aquecimento em duas zonas garante um tratamento térmico uniforme, resultando em melhor desempenho e estabilidade eletroquímica.

  • Universidades e Instituições de Pesquisa – Ideal para laboratórios acadêmicos e de pesquisa que estudam ciência dos materiais, física, química e engenharia. Oferece controle programável, operação flexível e segurança robusta para uso educacional e em P&D.

  • Industrial Quality Control e Testes de Conformidade – Oferece processamento reproduzível em altas temperaturas para validação, certificação e garantia de qualidade de produtos. Atende a padrões internacionais, incluindo ISO9001, CE, SGS e TÜV.

Concha de Forno

  • Construída em aço de baixo carbono Q235, a estrutura apresenta uma superfície resistente à corrosão e tratada eletrostaticamente. Uma estrutura metálica sólida de dupla camada é integrada a um sistema de ventilação com isolamento térmico para manter a temperatura externa baixa. Projetada para operação horizontal, a estrutura com abertura superior garante facilidade de uso.

Material refratário

  • O forno incorpora um sistema de isolamento multicamadas composto por fibra cerâmica de alumina leve e placa isolante premium. É isento de amianto e projetado para minimizar a perda de calor e o consumo de energia.

Sistema de Aquecimento

  • Equipado com elementos de aquecimento HRE de alta qualidade, o sistema fornece calor radiante eficiente dentro da câmara. O aquecimento em dois lados ou em anel garante uma distribuição consistente da temperatura. O design de duas zonas permite que cada zona seja controlada de forma independente para maior uniformidade térmica.

Painel de controle de temperatura

  • Utiliza controle PID e SSR para gerenciamento preciso da temperatura. Possui um termopar de níquel-cromo-silício tipo B, suportando uma faixa de 0 a 1800 °C e oferecendo durabilidade estendida. Inclui um indicador de status de aquecimento e alarme de superaquecimento.

Controlador de Programa

  • Projetado para processos térmicos avançados, o controlador suporta programação flexível com até 30 segmentos. Oferece operação simples, além de detecção de superaquecimento e falhas para proteção automática de segurança.

Capacidade de vácuo e atmosfera

  • Equipado com um flange de vedação de aço inoxidável 304, o sistema permite condições de vácuo ou atmosfera controlada dentro do tubo. Um tubo de trabalho de quartzo de alta pureza é padrão, com opções de tubos de metal ou coríndon para atender a diversas necessidades de aplicação.

artigo do produtoZona de aquecimento (mm)Tamanho do tubo (mm)Temperatura máximaTemperatura de trabalhoVoltagemEnergiaElemento de AquecimentoPrecisão de temperatura
TT-TF2Z-40-1200300 300 +Φ40 × 12001200 ℃1100 ℃220 V (110 V também está disponível)3.6KWHRE± 1 ℃
TT-TF2Z-60-1200300 300 +Φ60 × 12001200 ℃1100 ℃220 V (110 V também está disponível)5.2KWHRE± 1 ℃
TT-TF2Z-80-1200300 300 +Φ80 × 12001200 ℃1100 ℃220 V (110 V também está disponível)5.2KWHRE± 1 ℃
TT-TF2Z-100-1200300 300 +Φ100 × 12001200 ℃1100 ℃220 V (110 V também está disponível)5.2KWHRE± 1 ℃
TT-TF2Z-40-1400300 300 +Φ40 × 12001400 ℃1350 ℃220 V (110 V também está disponível)4KWSIC± 1 ℃
TT-TF2Z-60-1400300 300 +Φ60 × 12001400 ℃1350 ℃220 V (110 V também está disponível)6KWSIC± 1 ℃
TT-TF2Z-80-1400300 300 +Φ80 × 12001400 ℃1350 ℃380V8KWSIC± 1 ℃
TT-TF2Z-100-1400300 300 +Φ100 × 12001400 ℃1350 ℃380V10KWSIC± 1 ℃
TT-TF2Z-40-1700300 300 +Φ40 × 12001700 ℃1600 ℃220 V (110 V também está disponível)6KWMoSi2± 1 ℃
TT-TF2Z-60-1700300 300 +Φ60 × 12001700 ℃1600 ℃380V8KWMoSi2± 1 ℃
TT-TF2Z-80-1700300 300 +Φ80 × 12001700 ℃1600 ℃380V10KWMoSi2± 1 ℃
TT-TF2Z-100-1700300 300 +Φ100 × 12001700 ℃1600 ℃380V12KWMoSi2± 1 ℃

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