O forno de sinterização com elevação TT-LF-300-1700 foi projetado para a sinterização em alta temperatura de materiais avançados, como cerâmicas eletrônicas, materiais magnéticos, cerâmicas funcionais, cerâmicas estruturais, alvos de ITO e materiais compósitos. Com controle preciso de temperatura e construção robusta, garante desempenho estável e eficiente em processos térmicos exigentes.
Este forno é ideal para produção em pequena escala, tanto em laboratórios quanto em ambientes industriais. Equipado com uma câmara espaçosa de 300 litros, elementos de aquecimento de MoSi₂ confiáveis e precisão de temperatura de ±1°C, ele oferece resultados consistentes e reproduzíveis para pesquisa e aplicações de processamento de materiais especializados.
Cerâmica Eletrônica – Permite a sinterização e densificação em alta temperatura de componentes cerâmicos eletrônicos, garantindo isolamento elétrico superior, propriedades dielétricas e estabilidade a longo prazo.
Materiais Magnéticos – Proporciona aquecimento preciso e uniforme para o processamento de materiais magnéticos, apoiando o desenvolvimento de ferritas e cerâmicas magnéticas avançadas utilizadas nas indústrias eletrônica e de comunicação.
Cerâmicas Funcionais e Estruturais – Facilita a sinterização de cerâmicas de alto desempenho com excelente resistência térmica, resistência mecânica e durabilidade química para aplicações industriais e de engenharia.
Alvos e Filmes Finos de ITO – Suporta a sinterização de alvos de óxido de índio e estanho (ITO) usados em displays, células solares e dispositivos optoeletrônicos, garantindo alta densidade, uniformidade e condutividade.
Materiais compósitos – Otimizados para a consolidação e o processamento térmico de sistemas compósitos, permitindo um desempenho aprimorado para aplicações aeroespaciais, automotivas e relacionadas à energia.
Pesquisa em Nanomateriais – Oferece controle térmico preciso para nanoestruturas e compósitos avançados, apoiando pesquisas em materiais funcionais, catálise e armazenamento de energia de próxima geração.
Materiais semicondutores – Adequado para recozimento, oxidação e sinterização de substratos semicondutores em temperaturas ultra-altas, essenciais para microeletrônica, fotônica e optoeletrônica.
Pesquisa e Produção Industrial – Projetado para produção em pequena escala e uso em laboratório, combinando resultados reproduzíveis com alta durabilidade para universidades, centros de P&D e indústrias especializadas.
Concha de Forno
- Feito de aço de baixo carbono Q235 com um tratamento de superfície que resiste ao acúmulo de eletricidade estática e à corrosão.
- O design durável da estrutura metálica garante baixa temperatura da superfície externa.
- Equipado com uma porta selada por flange e mecanismo de travamento manual por parafuso, apresentando uma configuração de abertura lateral para facilitar a operação.
- A plataforma inferior é acionada por um servomotor com controle de precisão baseado em CLP. A direção e a velocidade de rotação são ajustáveis, permitindo movimentos para frente e para trás. Isso garante uma distribuição uniforme do calor e um aquecimento consistente da amostra em altas temperaturas.
Material refratário
- Sistema de isolamento multicamadas feito de fibra cerâmica de alumina leve e placas de isolamento térmico premium. O design é isento de amianto, minimiza a perda de calor e proporciona baixo consumo de energia.
Sistema de Aquecimento
- Elementos de aquecimento de resistência premium fornecem aquecimento radiante e eficiente em toda a câmara, projetados para durabilidade e longa vida útil.
- Elementos de aquecimento em forma de anel em todos os lados garantem uma distribuição consistente da temperatura dentro do forno.
- Os recursos opcionais incluem uma porta de exaustão superior e uma entrada de ar regulada na parte inferior do forno.
- A bandeja de carga na base pode acomodar contêineres empilhados, permitindo duas ou três camadas de materiais, dependendo da configuração do forno.
Painel de controle de temperatura
- Controlador PID de alta precisão com controle SSR/SCR para regulação de temperatura estável e precisa.
- Equipado com um termopar de longa duração, construído de acordo com padrões internacionais.
Controlador de Programa
- Controlador avançado para suportar processos térmicos complexos.
- Interface amigável com recursos de programação flexíveis.
- Suporta até 30 segmentos programáveis por curva de aquecimento.
- Inclui proteção contra superaquecimento e alarmes de falha para resposta automática de segurança.
Opções funcionais
- Sistema de resfriamento a ar opcional para resfriamento rápido — pode reduzir a temperatura do forno para 400°C rapidamente.
- Controle de entrada de ar manual ou automático opcional para dar suporte ao processamento de atmosfera controlada.
| Modelo | Tamanho da câmara (mm) | Volume | Temperatura máxima | Temperatura de trabalho | Voltagem | Energia | Elemento de Aquecimento | Precisão do controle de temperatura |
| TT-LF-96-1200 | 400 × 600 × 400 | 96L | 1200 ℃ | 1100 ℃ | 380V | 18KW | HRE | ± 1 ℃ |
| TT-LF-288-1200 | 600 × 800 × 600 | 288L | 1200 ℃ | 1100 ℃ | 380V | 30KW | HRE | ± 1 ℃ |
| TT-LF-640-1200 | 800 × 1000 × 800 | 640L | 1200 ℃ | 1100 ℃ | 380V | 45KW | HRE | ± 1 ℃ |
| TT-LF-96-1400 | 400 × 600 × 400 | 96L | 1400 ℃ | 1300 ℃ | 380V | 21KW | SIC | ± 1 ℃ |
| TT-LF-288-1400 | 600 × 800 × 600 | 288L | 1400 ℃ | 1300 ℃ | 380V | 30KW | SIC | ± 1 ℃ |
| TT-LF-640-1400 | 800 × 1000 × 800 | 640L | 1400 ℃ | 1300 ℃ | 380V | 50KW | SIC | ± 1 ℃ |
| TT-LF-96-1700 | 400 × 600 × 400 | 96L | 1700 ℃ | 1600 ℃ | 380V | 25KW | MoSi2 | ± 1 ℃ |
| TT-LF-150-1700 | 500 × 600 × 500 | 150L | 1700 ℃ | 1600 ℃ | 380V | 35KW | MoSi2 | ± 1 ℃ |
| TT-LF-324-1700 | 600 × 900 × 600 | 324L | 1700 ℃ | 1600 ℃ | 380V | 60KW | MoSi2 | ± 1 ℃ |
| TT-LF-640-1700 | 800 × 1000 × 800 | 640L | 1700 ℃ | 1600 ℃ | 380V | 80KW | MoSi2 | ± 1 ℃ |
| TT-LF-96-1800 | 400 × 600 × 400 | 96L | 1750 ℃ | 1700 ℃ | 380V | 25KW | MoSi2 | ± 1 ℃ |
| TT-LF-150-1800 | 500 × 600 × 500 | 150L | 1750 ℃ | 1700 ℃ | 380V | 35KW | MoSi2 | ± 1 ℃ |
| TT-LF-324-1800 | 600 × 900 × 600 | 324L | 1750 ℃ | 1700 ℃ | 380V | 60KW | MoSi2 | ± 1 ℃ |
