Sistem Deposisi PVD Hibrida
Sistem Deposisi PVD Hibrida - ToronPVD™ DS
Sistem Penguapan Termal dan Sputtering Magnetron Gabungan
ToronPVD™ DS adalah sistem deposisi PVD hibrida yang menggabungkan penguapan termal empat saluran dan sputtering magnetron DC/RF dalam satu ruang SS304L untuk deposisi film tipis multilapis dan penelitian ko-deposisi. Empat sumber termal 10V hingga 250A dengan desain ko-evaporasi kotak eksklusif beroperasi bersama dengan sumber sputtering DC/RF dalam konfigurasi 1, 2, dan 3 inci. Sistem ini mencapai tekanan dasar 10⁻⁸ Torr dan 10⁻⁷ Torr dalam satu jam untuk ruang yang terisi. Siklus 1.5 jam dan kontrol layar sentuh LabVIEW mendukung empat hingga enam eksperimen harian.
Catu daya RF (13.6 MHz, 300 hingga 1200 W) dan DC (0 hingga 1000 V, 2000 W) mencakup target isolasi dan konduktif di semua mode deposisi. Kontrol MFC digital mengontrol Ar, N₂, O₂, He, CH₄, dan H₂ pada 0.1 SCCM untuk deposisi oksida dan nitrida reaktif. Tekanan kerja dikontrol secara presisi pada rentang 1 hingga 100 mTorr untuk pembangkitan plasma. Pemanas PID opsional pada suhu 50 hingga 700 °C (±1 °C) dapat menerima wafer berukuran 3", 4", dan 6".
Pengontrol ketebalan saluran ganda dengan 1 hingga 4 QCM pada presisi 0.1 Å/s memantau laju deposisi dan ketebalan kumulatif di seluruh sumber termal dan sputtering. Pembersihan plasma ICP, CCP, dan DC-RF opsional pada substrat tersedia sebelum deposisi. Ruang SS304L, dalam konfigurasi prisma atau silinder, memiliki permukaan yang dipoles secara elektro dengan port tembus standar 1", QF, CF, dan ISO, jendela pengamatan penghalang UV, dan penutup yang dapat diputar. Sistem L120×W80×H180 cm dapat melewati pintu standar dengan roda yang dapat dikunci.
Sistem Deposisi PVD Hibrida - Aplikasi ToronPVD™ DS
ToronPVD™ DS melayani laboratorium PVD penelitian dan produksi yang membutuhkan penguapan termal dan sputtering magnetron dalam satu sistem vakum, di mana menjalankan kedua mode deposisi dalam siklus pemompaan yang sama mengurangi waktu pemrosesan dan menjaga kebersihan antarmuka. Kemampuan ko-evaporasi empat sumber dan pistol sputtering yang dapat dikonfigurasi membuatnya cocok untuk program penelitian film multilayer heterogen dan paduan.
- Penelitian Perangkat Organik/Anorganik Multilapis: pengendapan berurutan lapisan organik atau logam melalui penguapan termal dan film oksida atau nitrida yang diendapkan dalam satu siklus vakum tanpa ventilasi di antara lapisan
- Fabrikasi OLED dan Perangkat Organik: penguapan termal lapisan emitor dan transpor organik yang dikombinasikan dengan lapisan kontak konduktif yang diendapkan dengan metode sputtering untuk pengembangan perangkat OLED dan OPV
- Penelitian Paduan dan Film Senyawa Ko-EvaporasiPengoperasian simultan beberapa sumber panas untuk ko-evaporasi terkontrol komposisi film paduan dan senyawa yang membutuhkan kontrol fluks multi-material yang presisi.
- Penelitian Pelapisan Keras dan Susunan Multi-Material: sputtering reaktif film nitrida dan oksida yang dikombinasikan dengan lapisan benih logam atau lapisan fungsional yang diuapkan secara termal dalam satu platform deposisi
- Pembuatan Prototipe Perangkat Semikonduktor: pengendapan kontak logam dengan penguapan termal dan film dielektrik dengan sputtering RF pada substrat wafer hingga 6 inci dalam satu sesi pemompaan tunggal
- Penelitian Film Tipis Optik: penguapan termal lapisan reflektor logam yang dikombinasikan dengan lapisan oksida hasil sputtering RF reaktif untuk susunan film filter optik, anti-reflektif, dan cermin
- Akademis dan University Penelitian PVD Multi-SumberPlatform fleksibel untuk program penelitian yang membutuhkan penguapan dan penyemprotan tanpa pergantian alat terpisah antara langkah-langkah pengendapan.
Sistem Deposisi PVD Hibrida - Fitur Utama ToronPVD™ DS
ToronPVD™ DS mengintegrasikan ko-evaporasi termal empat sumber, sputtering magnetron DC/RF, kontrol gas MFC, otomatisasi PLC, dan pemantauan ketebalan dua saluran dalam satu platform vakum tinggi untuk penelitian film tipis multi-lapisan dan multi-material.
- Empat Sumber Panas 10V hingga 250A dengan Konfigurasi Ko-Evaporasi 2×2Sumber penguapan bersama arus tinggi dengan desain kotak eksklusif yang mencegah kontaminasi silang dan mendukung penggantian wadah dan keranjang yang mudah.
- Desain Sumber Kotak Milik PribadiGeometri sumber tertutup mencegah kontak silang penguapan antara wadah yang berdekatan, sehingga menjaga kemurnian komposisi dalam film yang diendapkan bersama.
- Sumber Sputtering DC/RF (1", 2", 3"), Desain Kepala Fleksibel 85 mm: mencakup material target magnetik dan non-magnetik dengan kepala fleksibel untuk pemasangan yang fleksibel dan penyelarasan target di semua posisi sumber.
- Catu Daya RF (13.6 MHz, 300 hingga 1200 W): mencakup target isolasi dan sputtering reaktif film oksida dan nitrida pada tingkat daya penelitian dan produksi
- Catu Daya DC (0 hingga 1000 V, 2000 W): catu daya DC daya tinggi untuk pengoperasian sumber sputtering target logam dan ko-evaporasi termal
- Tekanan Dasar 10⁻⁸ Torr, 10⁻⁷ Torr dalam Satu Jam (Terisi Penuh): Susunan pompa turbomolekuler dan mekanik dengan pilihan pompa kriogenik dan kering; pemompaan cepat mendukung siklus eksperimen 1.5 jam
- Kontrol Vakum Rentang Luas (1000 hingga 10⁻⁹ Torr): mencakup seluruh rentang tekanan untuk mode penguapan termal dan pengendapan sputtering dalam satu sistem pengukuran.
- Kontrol Tekanan Plasma yang Presisi (1 hingga 100 mTorr)Pengaturan tekanan independen untuk kondisi plasma yang stabil selama proses sputtering dan deposisi reaktif.
- Kontrol Gas MFC Digital (Ar, N₂, O₂, He, CH₄, H₂) dengan Sensitivitas 0.1 SCCM: pengiriman MFC enam gas untuk pengendapan inert dan reaktif di seluruh mode penguapan dan sputtering
- Pemantauan Ketebalan Saluran Ganda 0.1 Å/s dengan 1 hingga 4 QCM: pengukuran laju presisi dan ketebalan secara simultan di seluruh saluran sumber termal dan sputtering aktif
- Pemanas Substrat PID Opsional 50 hingga 700 °C (±1 °C): kontrol suhu substrat untuk kristalinitas dan adhesi film, kompatibel dengan wafer 3", 4", dan 6" serta lampiran sampel 1 hingga 10 cm
- Rotasi Sampel 2 hingga 30 rpm: rotasi yang dapat disesuaikan secara terus menerus untuk distribusi ketebalan film yang seragam di seluruh permukaan substrat
- Pembersihan Plasma Substrat ICP, CCP, dan DC-RF Opsional: persiapan permukaan substrat in-situ sebelum deposisi tanpa memutus vakum
- Pendinginan Air Otomatis Sistem Tertutup dengan Interlock: Manajemen termal mencegah pengoperasian sumber tanpa pendingin aktif, melindungi sumber plasma dan rakitan sumber termal
- Konfigurasi Katup Throttle, Ventilasi, dan Isolasi: manajemen tekanan proses yang presisi; ruang tersebut mempertahankan vakum di antara eksperimen melalui katup isolasi
- Ruang SS304L (Prisma atau Silindris) dengan Permukaan yang Dipoles Secara ElektrolitikPermukaan yang sangat bersih dengan port tembus pandang standar 1" QF, CF, dan ISO untuk integrasi yang fleksibel.
- Pencahayaan Internal, Pemanggangan 100 °C, Jendela Penghalang UV, dan Rana yang Dapat DiputarAksesori ruang lengkap untuk pemantauan proses, pengkondisian, dan penghilangan kelembapan.
- Mudah Diupgrade dengan Sumber Termal dan Sputtering TambahanArsitektur modular mendukung perluasan jumlah sumber seiring dengan meningkatnya kebutuhan penelitian.
- Kontrol Layar Sentuh LabVIEW dengan Pencadangan Panel Lengkap: manajemen urutan otomatis untuk semua fungsi sumber, gas, vakum, dan rotasi, dengan cadangan panel manual yang tersedia setiap saat
- Siklus Eksperimen 1.5 Jam, 4 hingga 6 Eksperimen Per Hari: Pengosongan pompa yang cepat dan siklus pemrosesan mendukung throughput harian multi-run
- Platform Bergerak dengan Roda yang Dapat Dikunci (L120×W80×H180 cm)Sistem gabungan ukuran penuh dengan ukuran yang besar dapat melewati pintu standar untuk penempatan laboratorium yang fleksibel.
- Garansi Satu Tahun untuk Desain, Material, dan Pengerjaan: cakupan tahunan untuk komponen sistem, kualitas desain, dan manufaktur
Teori dan Metode
Penguapan termal dan sputtering magnetron masing-masing menangani kelas material dan kondisi deposisi yang tidak dapat ditandingi oleh yang lain, sehingga kombinasi keduanya dalam satu ruang vakum praktis untuk struktur perangkat multilayer yang kompleks. Penguapan termal memanaskan sumber resistif hingga menguap, menghasilkan fluks logam dan organik bersih yang cocok untuk kontak logam dan emitor organik. Sputtering magnetron mengeluarkan atom dari target padat menggunakan plasma, melapisi logam refraktori, oksida, dan nitrida. Menggabungkan keduanya dalam satu siklus vakum menghilangkan kontaminasi paparan udara pada antarmuka organik-anorganik dan logam-dielektrik.
Empat sumber termal dalam konfigurasi ko-evaporasi 2×2 memungkinkan deposisi multi-material secara simultan untuk film paduan, film dengan gradasi komposisi, dan film senyawa. Desain sumber berbentuk kotak yang dipatenkan mencegah kontaminasi silang antar wadah yang berdekatan dan menyederhanakan penggantian material sumber. Sputtering DC/RF dalam konfigurasi kepala fleksibel 1, 2, dan 3 inci mencakup target magnetik dan non-magnetik di samping sumber termal. Pengontrol ketebalan saluran ganda dengan 1 hingga 4 QCM memantau deposisi gabungan pada 0.1 Å/s di semua sumber aktif.
Kombinasi pompa turbomolekuler dan mekanis mencapai tekanan dasar 10⁻⁸ Torr dan 10⁻⁷ Torr dalam satu jam untuk ruang yang terisi penuh. Kontrol vakum rentang luas yang mencakup 1000 hingga 10⁻⁹ Torr dan kontrol tekanan presisi 1 hingga 100 mTorr untuk pembangkitan plasma mencakup semua kondisi operasi. Kontrol layar sentuh LabVIEW dengan cadangan panel lengkap mengelola daya sumber, gas, vakum, dan urutan rotasi. Unit pembersih plasma ICP, CCP, atau DC-RF opsional mempersiapkan permukaan substrat sebelum deposisi.
Sistem Deposisi PVD Hibrida - Spesifikasi Teknis ToronPVD™ DS
| Parameter | Spesifikasi |
|---|---|
| Catu Daya RF | 13.6 MHz, 300 hingga 1200 W |
| DC Power Supply | Tegangan DC 0 hingga 1000 V, daya 2000 W |
| Tekanan Dasar | 10⁻⁸ Torsi |
| Vakum Kerja (Terisi, 1 jam) | 10⁻⁷ Torr |
| Rentang Kontrol Vakum | 1000 hingga 10⁻⁹ Torr |
| Konfigurasi Pompa | Turbomolekuler + Mekanis (pompa kriogenik dan pompa kering sebagai pilihan) |
| Rentang Tekanan Sputtering | 1 hingga 100 mTorr |
| Sumber Penguapan Termal | 4 (10V hingga 250A; konfigurasi ko-evaporasi 2×2) |
| Desain Sumber | Dikemas dalam kotak khusus (pencegahan kontaminasi silang) |
| Sumber Sputtering | DC/RF; target 1", 2", 3"; kepala fleksibel 85 mm |
| Sputtering Magnetik/Non-Magnetik | Ya |
| Masukan Gas | Ar, N₂, O₂, He, CH₄, H₂; MFC digital; sensitivitas 0.1 SCCM |
| Chamber Material | SS304L (prisma atau silindris); dipoles secara elektrokimia |
| Port tembus pandang | Standar 1 inci, QF, CF, ISO |
| Pemanasan Substrat (Opsional) | 50 hingga 700 °C (PID, ±1 °C) |
| Kompatibilitas Wafer | 3", 4", 6"; lampiran sampel 1 hingga 10 cm |
| Kecepatan Rotasi Sampel | 2 hingga 30 rpm |
| Pembersihan Plasma (Opsional) | ICP, CCP, DC-RF |
| Pemantauan Ketebalan | Saluran ganda; 0.1 Å/s; 1 hingga 4 QCM |
| Pemanggangan Internal | Hingga 100 °C |
| Jendela Pengamatan | Menghalangi sinar UV; rana yang dapat diputar |
| Sistem Pendingin | Pendinginan air otomatis sistem tertutup (dilindungi interlock) |
| Control System | Layar sentuh LabVIEW; cadangan panel lengkap |
| Waktu Siklus Eksperimen | 1.5 jam (4 hingga 6 percobaan per hari) |
| Tapak | P120 × L80 × T180 cm |
| Jarak Bebas Pintu | Melewati pintu standar |
| Mobilitas | Roda yang dapat dikunci |
| Jaminan | 1 tahun (desain, material, dan pengerjaan) |