Machine de pulvérisation par pulvérisation de bureau à triple cible à vide poussé et à triple magnétron-DST3-A/S
La coucheuse par pulvérisation cathodique à triple magnétron sous vide poussé-DST3-A/S est un système de coucheuse sous vide multi-cibles polyvalent, doté d'un pompage turbomoléculaire, adapté au dépôt d'une large gamme de matériaux. Il est livré avec une chambre spacieuse d'un diamètre de 300 mm et est équipé de trois cathodes refroidies à l'eau de 2" de diamètre, permettant des périodes de dépôt prolongées.
Ce dispositif de pulvérisation de bureau à triple magnétron est bien équipé d'alimentations RF et CC, ce qui lui permet de pulvériser efficacement des semi-conducteurs, des diélectriques et diverses cibles métalliques, y compris des métaux oxydants et nobles. Pour optimiser le processus de pulvérisation RF, le système comprend un boîtier d'adaptation auto-ajustable, qui minimise la puissance réfléchie.
Pour améliorer l'adhésion du film au substrat et améliorer les structures du film, il existe également une fonction optionnelle qui permet l'application d'une tension de polarisation de 300 V CC au substrat.
Selon l'état des cathodes, le DST3 est proposé en deux modèles distincts.
- Films métalliques, semi-conducteurs et diélectriques
- Applications nano et microélectroniques
- Développement de cellules solaires
- Processus de co-pulvérisation
- Technique de pulvérisation GLAD
- Revêtement de composants optiques
- Fabrication de capteurs à couches minces
- Production de dispositifs magnétiques à couches minces
- Dépôt structurel à grains fins pour la préparation d'échantillons SEM et FE-SEM
matériel:
- Niveau de vide élevé avec pompe turbo intégrée
- Équipé d'alimentations CC et RF en option adaptées aux métaux, semi-conducteurs et diélectriques
- Trois cathodes magnétron coudées refroidies à l'eau de 2 pouces adaptées à la production de films d'alliage (DST3-A) et au dépôt multicouche
- Grande platine porte-échantillon (8 pouces) pour le modèle DST3-S
- Masque cathodique conçu pour un dépôt uniforme sur de grands substrats (DST3-S)
- Deux systèmes de surveillance à cristaux de quartz fixes et mobiles pour une mesure d'épaisseur en temps réel (précision de 1 nm)
- Contrôle de l'injection de gaz via deux contrôleurs de débit massique (MFC)
- Vannes à gaz électroniques
- Pompe d'appui à palettes rotatives à deux étages (pompe à membrane et à spirale)
- Vacuomètre à gamme complète
- Moteur de sélection de cathode
- Rotation, hauteur et inclinaison de l'échantillon réglables (pour porte-échantillons de 3 pouces)
- Equipé de 3 volets roulants manuels ou électroniques en option
- Chauffage de substrat programmable (en option)
- Temps de dépôt illimité sans rupture de vide
- Deux ans de garantie
Automation:
- Un écran tactile intuitif pour un contrôle facile du processus de revêtement et une saisie rapide des données
- Logiciel convivial pouvant être mis à jour via une connexion réseau
- Processus de revêtement semi-automatique en option
- Processus de pulvérisation répétable et programmable en mode automatique
- Paramètres réglables en option pour les dépôts DC, RF et à courant élevé via le panneau à écran tactile
- Dépôt temporisé et en épaisseur manuel ou automatique
- Possibilité de stocker des recettes de revêtement pour des dépôts reproductibles
- Sélection de cibles pour les films minces multicouches
- Volets électroniques pour un contrôle précis
- Sélection automatisée des cathodes
- Programmation et contrôle du substrat chauffant via le logiciel
Installations optionnelles :
L'enduction sous vide DST3 est dotée d'une chambre sous vide cylindrique en Pyrex d'un diamètre extérieur de 300 mm et d'une hauteur de 200 mm. Il est équipé d'une pompe turbomoléculaire de 90 L/s montée en interne, qui est soutenue par une pompe à palettes rotatives à deux étages de 6 m3/h pour un fonctionnement sous vide efficace.
Aspirateur propre
- Pulvérisation RF pour le dépôt de cibles conductrices et non conductrices
- Nettoyeur plasma pour des capacités de nettoyage améliorées
- Tension de polarisation du substrat 300 V CC
- Chauffage du substrat à 500 °C pour un contrôle précis de la température pendant le processus de revêtement.
Contrôle de l'écran tactile
Le DST3 est livré avec un écran tactile couleur de 7 pouces, doté d'un logiciel convivial pour un contrôle et un ajustement transparents des données du processus de dépôt. Vous pouvez facilement surveiller les informations sur la séquence de vide et de revêtement, qui sont affichées sous forme de données numériques ou de courbes sur l'écran tactile. De plus, le système stocke des informations sur les 300 derniers revêtements dans la page historique pour votre commodité.
Étapes du porte-échantillon
Le porte-échantillon est disponible en deux tailles standard : 3 pouces, disponible dans les modèles DST3-A et DST3-S, et 8 pouces, exclusif au DST3-S. Cependant, les utilisateurs ont la possibilité de demander des tailles personnalisées adaptées à leurs besoins spécifiques. Les porte-échantillons plus petits sont équipés de plusieurs pinces conçues pour maintenir solidement les petits échantillons pendant la rotation, offrant ainsi une solution simple et efficace.
Nettoyant plasma
Le DST3 peut être équipé en option d'un nettoyeur plasma. Le traitement ou le nettoyage au plasma implique l'élimination des substances organiques de la surface d'un substrat ou sa modification à l'aide d'un gaz ionisé, appelé plasma. Ce processus peut modifier les propriétés de surface du substrat, améliorant soit son caractère hydrophile, soit son hydrophobie pour faciliter efficacement les dépôts ultérieurs. De plus, l’application de plasma sur le substrat avant le dépôt de films minces permet d’éliminer les contaminants de surface, tels que les résidus carbonés et les oxydes, tout en améliorant l’adhésion entre le substrat et les couches suivantes.
DST3-A (Cathodes coudées) :
Le DST3-A comporte trois cathodes inclinées qui partagent un point focal commun. Cette configuration permet une pulvérisation simultanée à partir de deux ou trois cibles (en option), permettant la formation d'alliages ou de dépôts multicouches. Dans ce modèle, la taille maximale du substrat est de 3 pouces.
DST3-S (Cathodes droites) :
Le modèle DST3-S est équipé de trois cathodes droites de 2 pouces refroidies à l'eau et est conçu pour pulvériser un seul grand échantillon d'un diamètre allant jusqu'à 20 cm ou plusieurs échantillons plus petits.
- Vide ultime : moins de 8x10-6 Torr
| En-tête de tableau | ||
|---|---|---|
Vitesse de pompage (l/s) | 90 | 350 |
Pression ultime (Torr) | 8 × 10-6 | 3 × 10-6 |
- Chaque cathode peut contrôler indépendamment la vitesse de pulvérisation pour produire des structures à grains fins.
- L'épaisseur maximale de chaque cible, y compris la plaque d'appui, est de 6 mm.
- La puissance de dépôt est automatiquement contrôlée quelle que soit la pression.
- Les températures cathodiques sont automatiquement régulées pour prolonger la durée de vie des aimants.
- Les données sont rapidement enregistrées à l’aide d’un contrôle entièrement automatique par écran tactile.
- Deux débitmètres massiques (MFC) de précision permettent un contrôle précis de la pression du vide et du débit d'argon ou d'autres gaz de pulvérisation réactifs.
- Un papillon des gaz électronique est inclus pour la pompe turbo de 350 l/s.
- Les paramètres de revêtement sont enregistrés et tracés.
- Les courbes et les données du processus de dépôt peuvent être transférées via un port USB vers un PC.
- Une tension de polarisation optionnelle de 300 V CC peut être ajoutée.
- Il existe une option pour un nettoyeur plasma.
- Le système comprend une alimentation CC 0-1200 0 V, 500-XNUMX mA.
- Une alimentation RF de 300 W en option avec un boîtier d'adaptation automatique est disponible.
- Utilitaires : 220/110 V, 50/60 Hz, avec un courant nominal de 16/25 A.
- Dimensions de l'instrument : 600 Largeur × 800 Profondeur × 770 Hauteur mm (hors rack).
- Poids net : 160 kg, pompe, rack et étui à instruments compris.
Options et accessoires
- Capteur à cristal de quartz
- Chambre en verre de rechange
- Cibles de pulvérisation
- Des joints d'étanchéité
- Tension de polarisation 300 V CC
- Nettoyant plasma
- Chauffage du substrat à 500°C
